На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | IRF2903ZLPBF | IRF2903ZPBF | IRF2903ZSPBF | IRF2903ZSTRLP | IRF2903ZSTRRP | |
|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | TO-262 | TO-220AB | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) |
Виробник | Виробник | International Rectifier | ||||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | Крізь отвір | Поверхневий | Поверхневий | Поверхневий |
Потужність | P | <231 Вт | <290 Вт | <231 Вт | <290 Вт | <231 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 6.32 нФVds = 25V | ||||
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <30 В | ||||
Постійний струм стоку | IDSS | <75 А | ||||
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | ||||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <2.4 мОмId, Vgs = 75A, 10V | ||||
Серія MOSFET | Серія | HEXFET® | ||||
Заряд затвору | QG | 240 нCVgs = 10V | ||||
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | ||||