IRF1324LPBF

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметр		IRF1324LPBF	IRF1324PBF	IRF1324S-7PPBF	IRF1324SPBF	IRF1324STRL-7PP	IRF1324STRLPBF
Корпус мікросхеми	Корпус	TO-262	TO-220AB	D²Pak, TO-263 (7 leads + tab)	D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)	D²Pak, TO-263 (7 leads + tab)	D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)
Виробник	Виробник	International Rectifier
Тип монтажу компонента на плату чи в схему	Монтаж	Крізь отвір	Крізь отвір	Поверхневий	Поверхневий	Поверхневий	Поверхневий
Потужність	P	<300 Вт
Вхідна ємність польового транзистора	C₁₁	7.59 нФVds = 24V	7.59 нФVds = 24V	7.7 нФVds = 19V	7.59 нФVds = 24V	7.7 нФVds = 19V	7.59 нФVds = 24V
Постійна напруга між стоком та витоком	U_DSS	<24 В
Постійний струм стоку	I_DSS	<195 А	<195 А	<429 А	<195 А	<429 А	<195 А
Тип каналу польового транзистора	Канал	N-ch
Опір каналу у відкритому стані	R_DS-ON	<1.65 мОмId, Vgs = 195A, 10V	<1.5 мОмId, Vgs = 195A, 10V	<1 мОмId, Vgs = 160A, 10V	<1.65 мОмId, Vgs = 195A, 10V	<1 мОмId, Vgs = 160A, 10V	<1.65 мОмId, Vgs = 195A, 10V
Серія MOSFET	Серія	HEXFET®
Заряд затвору	Q_G	240 нCVgs = 10V	240 нCVgs = 10V	252 нCVgs = 10V	240 нCVgs = 10V	252 нCVgs = 10V	240 нCVgs = 10V
FET Feature	FET Feature	Standard