IRF1310

IRF1310, IRF1310N, IRF1310NL, IRF1310NLPBF, IRF1310NPBF, IRF1310NS, IRF1310NSPBF, IRF1310NSTRL, IRF1310NSTRLPBF, IRF1310NSTRR, IRF1310NSTRRPBF

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрIRF1310NIRF1310NLIRF1310NLPBFIRF1310NPBFIRF1310NSIRF1310NSPBFIRF1310NSTRLIRF1310NSTRLPBFIRF1310NSTRRIRF1310NSTRRPBF
Корпус мікросхеми
Корпус
TO-220-3 (Straight Leads)TO-262-3 (Straight Leads)TO-262-3 (Straight Leads)TO-220-3 (Straight Leads)D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)
Виробник
Виробник
International Rectifier
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Крізь отвірКрізь отвірКрізь отвірКрізь отвірПоверхневийПоверхневийПоверхневийПоверхневийПоверхневийПоверхневий
Потужність
P
<160 Вт<3.8 Вт<3.8 Вт<160 Вт<3.8 Вт<3.8 Вт<3.8 Вт<3.8 Вт<3.8 Вт<3.8 Вт
Вхідна ємність польового транзистора
C11
1.9 нФVds = 25V
Постійна напруга між стоком та витоком
UDSS
<100 В
Постійний струм стоку
IDSS
<42 А
Тип каналу польового транзистора
Канал
N-ch
Опір каналу у відкритому стані
RDS-ON
<36 мОмId, Vgs = 22A, 10V
Серія MOSFET
Серія
HEXFET®
Заряд затвору
QG
110 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Standard