На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | IRF1302PBF | IRF1302S | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | TO-220-3 (Straight Leads) | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) |
Виробник | Виробник | International Rectifier | |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | Поверхневий |
Потужність | P | <230 Вт | <200 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 3.6 нФVds = 25V | |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <20 В | |
Постійний струм стоку | IDSS | <180 А | <174 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <4 мОмId, Vgs = 104A, 10V | |
Серія MOSFET | Серія | HEXFET® | |
Заряд затвору | QG | 120 нCVgs = 10V | |
FET Feature | FET Feature | Standard | |