На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | IPU04N03LA | IPU04N03LAG | IPU04N03LBG | |
|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab) | ||
Виробник | Виробник | Infineon Technologies | ||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | ||
Потужність | P | <115 Вт | ||
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 5.199 нФVds = 15V | 5.199 нФVds = 15V | 5.2 нФVds = 15V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <25 В | <25 В | <30 В |
Постійний струм стоку | IDSS | <50 А | ||
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | ||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <4 мОмId, Vgs = 50A, 10V | <4 мОмId, Vgs = 50A, 10V | <4.3 мОмId, Vgs = 50A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | OptiMOS™ | ||
Заряд затвору | QG | 41 нCVgs = 5V | 41 нCVgs = 5V | 40 нCVgs = 5V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | ||