На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | IPSH6N03LAG | IPSH6N03LBG | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | IPak, TO-251, DPak (3 straight short leads + tab) | |
Виробник | Виробник | Infineon Technologies | |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | |
Потужність | P | <71 Вт | <83 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 2.39 нФVds = 15V | 2.8 нФVds = 15V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <25 В | <30 В |
Постійний струм стоку | IDSS | <50 А | |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <6.2 мОмId, Vgs = 50A, 10V | <6.3 мОмId, Vgs = 50A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | OptiMOS™ | |
Заряд затвору | QG | 19 нCVgs = 5V | 22 нCVgs = 5V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | |