IPP90R1K0C3

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметр		IPP90R1K0C3	IPP90R1K2C3
Корпус мікросхеми	Корпус	TO-220
Виробник	Виробник	Infineon Technologies
Тип монтажу компонента на плату чи в схему	Монтаж	Крізь отвір
Потужність	P	<89 Вт	<83 Вт
Вхідна ємність польового транзистора	C₁₁	850 пФVds = 100V	710 пФVds = 100V
Постійна напруга між стоком та витоком	U_DSS	<900 В
Постійний струм стоку	I_DSS	<5.7 А	<5.1 А
Тип каналу польового транзистора	Канал	N-ch
Опір каналу у відкритому стані	R_DS-ON	<1 ОмId, Vgs = 3.3A, 10V	<1.2 ОмId, Vgs = 2.8A, 10V
Серія MOSFET	Серія	CoolMOS™
Заряд затвору	Q_G	34 нCVgs = 10V	28 нCVgs = 10V
FET Feature	FET Feature	Standard