IPP80N04S2-H4

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметр		IPP80N04S2-04	IPP80N04S2-H4	IPP80N04S2L-03	IPP80N04S3-03	IPP80N04S3-04	IPP80N04S3-06
Корпус мікросхеми	Корпус	TO-220-3	TO-220-3	TO-220	TO-220-3	TO-220-3	TO-220-3
Виробник	Виробник	Infineon Technologies
Тип монтажу компонента на плату чи в схему	Монтаж	Крізь отвір
Потужність	P	<300 Вт	<300 Вт	<300 Вт	<188 Вт	<136 Вт	<100 Вт
Вхідна ємність польового транзистора	C₁₁	5.3 нФVds = 25V	4.4 нФVds = 25V	6 нФVds = 25V	7.3 нФVds = 25V	5.2 нФVds = 25V	3.25 нФVds = 25V
Постійна напруга між стоком та витоком	U_DSS	<40 В
Постійний струм стоку	I_DSS	<80 А
Тип каналу польового транзистора	Канал	N-ch
Опір каналу у відкритому стані	R_DS-ON	<3.7 мОмId, Vgs = 80A, 10V	<4 мОмId, Vgs = 80A, 10V	<3.4 мОмId, Vgs = 80A, 10V	<3.5 мОмId, Vgs = 80A, 10V	<4.1 мОмId, Vgs = 80A, 10V	<5.7 мОмId, Vgs = 80A, 10V
Серія MOSFET	Серія	OptiMOS™
Заряд затвору	Q_G	170 нCVgs = 10V	148 нCVgs = 10V	213 нCVgs = 10V	110 нCVgs = 10V	80 нCVgs = 10V	47 нCVgs = 10V
FET Feature	FET Feature	Standard	Standard	Logic Level Gate	Standard	Standard	Standard