На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | IPP70N10S3-12 | IPP70N10SL-16 | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | TO-220-3 | |
Виробник | Виробник | Infineon Technologies | |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | |
Потужність | P | <125 Вт | <250 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 4.355 нФVds = 25V | 4.54 нФVds = 25V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <100 В | |
Постійний струм стоку | IDSS | <70 А | |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <11.6 мОмId, Vgs = 70A, 10V | <16 мОмId, Vgs = 50A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | OptiMOS™ | SIPMOS® |
Заряд затвору | QG | 66 нCVgs = 10V | 240 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | Logic Level Gate |