На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | IPP08CN10LG | IPP08CN10NG | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | TO-220-3 | TO-220 |
Виробник | Виробник | Infineon Technologies | |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | |
Потужність | P | <167 Вт | |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 8.61 нФVds = 50V | 6.66 нФVds = 50V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <100 В | |
Постійний струм стоку | IDSS | <98 А | <95 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <8 мОмId, Vgs = 98A, 10V | <8.5 мОмId, Vgs = 95A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | OptiMOS™ | |
Заряд затвору | QG | 90 нCVgs = 10V | 100 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | Standard |