На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | IPP05CN10LG | IPP05CN10NG | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | TO-220-3 | TO-220 |
Виробник | Виробник | Infineon Technologies | |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | |
Потужність | P | <300 Вт | |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 15.6 нФVds = 50V | 12 нФVds = 50V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <100 В | |
Постійний струм стоку | IDSS | <100 А | |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <5.1 мОмId, Vgs = 100A, 10V | <5.4 мОмId, Vgs = 100A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | OptiMOS™ | |
Заряд затвору | QG | 163 нCVgs = 10V | 181 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | Standard |