На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | IPI80N06S2-07 | IPI80N06S2-08 | IPI80N06S2L-05 | IPI80N06S2L-11 | IPI80N06S3-05 | IPI80N06S3-07 | IPI80N06S3L-05 | IPI80N06S3L-06 | IPI80N06S3L-08 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | I²Pak, TO-262 (3 straight leads + tab) | ||||||||
Виробник | Виробник | Infineon Technologies | ||||||||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | ||||||||
Потужність | P | <250 Вт | <215 Вт | <300 Вт | <158 Вт | <165 Вт | <135 Вт | <165 Вт | <136 Вт | <105 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 3.4 нФVds = 25V | 2.86 нФVds = 25V | 5.7 нФVds = 25V | 2.075 нФVds = 25V | 10.76 нФVds = 25V | 7.768 нФVds = 25V | 13.06 нФVds = 25V | 9.417 нФVds = 25V | 6.475 нФVds = 25V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <55 В | ||||||||
Постійний струм стоку | IDSS | <80 А | ||||||||
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | ||||||||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <6.6 мОмId, Vgs = 68A, 10v | <8 мОмId, Vgs = 58A, 10V | <4.8 мОмId, Vgs = 80A, 10V | <11 мОмId, Vgs = 60A, 10V | <5.4 мОмId, Vgs = 63A, 10V | <6.8 мОмId, Vgs = 51A, 10V | <4.8 мОмId, Vgs = 69A, 10V | <5.9 мОмId, Vgs = 56A, 10V | <7.9 мОмId, Vgs = 43A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | OptiMOS™ | ||||||||
Заряд затвору | QG | 110 нCVgs = 10V | 96 нCVgs = 10V | 230 нCVgs = 10V | 80 нCVgs = 10V | 240 нCVgs = 10V | 170 нCVgs = 10V | 273 нCVgs = 10V | 196 нCVgs = 10V | 134 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | Standard | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Standard | Standard | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Standard |