На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | IPI80N04S2-04 | IPI80N04S2-H4 | IPI80N04S3-03 | IPI80N04S3-04 | IPI80N04S3-06 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | I²Pak, TO-262 (3 straight leads + tab) | ||||
Виробник | Виробник | Infineon Technologies | ||||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | ||||
Потужність | P | <300 Вт | <300 Вт | <188 Вт | <136 Вт | <100 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 5.3 нФVds = 25V | 4.4 нФVds = 25V | 7.3 нФVds = 25V | 5.2 нФVds = 25V | 3.25 нФVds = 25V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <40 В | ||||
Постійний струм стоку | IDSS | <80 А | ||||
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | ||||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <3.7 мОмId, Vgs = 80A, 10V | <4 мОмId, Vgs = 80A, 10V | <3.5 мОмId, Vgs = 80A, 10V | <4.1 мОмId, Vgs = 80A, 10V | <5.7 мОмId, Vgs = 80A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | OptiMOS™ | ||||
Заряд затвору | QG | 170 нCVgs = 10V | 148 нCVgs = 10V | 110 нCVgs = 10V | 80 нCVgs = 10V | 47 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | ||||