IPI100N08N3G

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметр		IPI100N08N3G	IPI100N08S2-07
Корпус мікросхеми	Корпус	I²Pak, TO-262 (3 straight leads + tab)
Виробник	Виробник	Infineon Technologies
Тип монтажу компонента на плату чи в схему	Монтаж	Крізь отвір
Потужність	P	<100 Вт	<300 Вт
Вхідна ємність польового транзистора	C₁₁	2.41 нФVds = 40V	4.7 нФVds = 25V
Постійна напруга між стоком та витоком	U_DSS	<80 В	<75 В
Постійний струм стоку	I_DSS	<70 А	<100 А
Тип каналу польового транзистора	Канал	N-ch
Опір каналу у відкритому стані	R_DS-ON	<10 мОмId, Vgs = 46A, 10V	<7.1 мОмId, Vgs = 80A, 10V
Серія MOSFET	Серія	OptiMOS™
Заряд затвору	Q_G	35 нCVgs = 10V	200 нCVgs = 10V
FET Feature	FET Feature	Standard