На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | IPI100N08N3G | IPI100N08S2-07 | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | I²Pak, TO-262 (3 straight leads + tab) | |
Виробник | Виробник | Infineon Technologies | |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | |
Потужність | P | <100 Вт | <300 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 2.41 нФVds = 40V | 4.7 нФVds = 25V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <80 В | <75 В |
Постійний струм стоку | IDSS | <70 А | <100 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <10 мОмId, Vgs = 46A, 10V | <7.1 мОмId, Vgs = 80A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | OptiMOS™ | |
Заряд затвору | QG | 35 нCVgs = 10V | 200 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | |