На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | IPI100N06S3-03 | IPI100N06S3-04 | IPI100N06S3L-03 | IPI100N06S3L-04 | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | I²Pak, TO-262 (3 straight leads + tab) | |||
Виробник | Виробник | Infineon Technologies | |||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | |||
Потужність | P | <300 Вт | <214 Вт | <300 Вт | <214 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 21.62 нФVds = 25V | 14.23 нФVds = 25V | 26.24 нФVds = 25V | 17.27 нФVds = 25V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <55 В | |||
Постійний струм стоку | IDSS | <100 А | |||
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <3.3 мОмId, Vgs = 80A, 10V | <4.4 мОмId, Vgs = 80A, 10V | <3 мОмId, Vgs = 80A, 10V | <3.8 мОмId, Vgs = 80A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | OptiMOS™ | |||
Заряд затвору | QG | 480 нCVgs = 10V | 314 нCVgs = 10V | 550 нCVgs = 10V | 362 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | Standard | Logic Level Gate | Logic Level Gate |