IPI03N03

IPI03N03, IPI03N03LA

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрIPI03N03LA
Корпус мікросхеми
Корпус
I²Pak, TO-262 (3 straight leads + tab)
Виробник
Виробник
Infineon Technologies
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Крізь отвір
Потужність
P
<150 Вт
Вхідна ємність польового транзистора
C11
7.027 нФVds = 15V
Постійна напруга між стоком та витоком
UDSS
<25 В
Постійний струм стоку
IDSS
<80 А
Тип каналу польового транзистора
Канал
N-ch
Опір каналу у відкритому стані
RDS-ON
<3 мОмId, Vgs = 55A, 10V
Серія MOSFET
Серія
OptiMOS™
Заряд затвору
QG
57 нCVgs = 5V
FET Feature
FET Feature
Logic Level Gate