IPF06N03LAG

IPF06N03, IPF06N03LAG

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрIPF06N03LAG
Корпус мікросхеми
Корпус
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
Виробник
Виробник
Infineon Technologies
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Потужність
P
<83 Вт
Вхідна ємність польового транзистора
C11
2.653 нФVds = 15V
Постійна напруга між стоком та витоком
UDSS
<25 В
Постійний струм стоку
IDSS
<50 А
Тип каналу польового транзистора
Канал
N-ch
Опір каналу у відкритому стані
RDS-ON
<5.7 мОмId, Vgs = 30A, 10V
Серія MOSFET
Серія
OptiMOS™
Заряд затвору
QG
22 нCVgs = 5V
FET Feature
FET Feature
Logic Level Gate