На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | IPD90N03S4L-02 | IPD90N03S4L-03 | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | |
Виробник | Виробник | Infineon Technologies | |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |
Потужність | P | <136 Вт | <94 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 9.75 нФVds = 25V | 5.1 нФVds = 25V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <30 В | |
Постійний струм стоку | IDSS | <90 А | |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <2.2 мОмId, Vgs = 90A, 10V | <3 мОмId, Vgs = 90A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | OptiMOS™ | |
Заряд затвору | QG | 140 нCVgs = 10V | 75 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | |