На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | IPD35N10S3L-26 | |
|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 |
Виробник | Виробник | Infineon Technologies |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий |
Потужність | P | <71 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 2.7 нФVds = 25V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <100 В |
Постійний струм стоку | IDSS | <35 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <24 мОмId, Vgs = 35A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | OptiMOS™ |
Заряд затвору | QG | 39 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate |