На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | IPD30N08S2-22 | IPD30N08S2L-21 | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | |
Виробник | Виробник | Infineon Technologies | |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |
Потужність | P | <136 Вт | |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 1.4 нФVds = 25V | 1.65 нФVds = 25V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <75 В | |
Постійний струм стоку | IDSS | <30 А | |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <21.5 мОмId, Vgs = 50A, 10V | <20.5 мОмId, Vgs = 25A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | OptiMOS™ | |
Заряд затвору | QG | 57 нCVgs = 10V | 72 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | Logic Level Gate |