На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | IPD30N06S2-15 | IPD30N06S2-23 | IPD30N06S2L-13 | IPD30N06S2L-23 | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | |||
Виробник | Виробник | Infineon Technologies | |||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |||
Потужність | P | <136 Вт | <100 Вт | <136 Вт | <100 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 1.485 нФVds = 25V | 901 пФVds = 25V | 1.8 нФVds = 25V | 1.091 нФVds = 25V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <55 В | |||
Постійний струм стоку | IDSS | <30 А | |||
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <14.7 мОмId, Vgs = 30A, 10V | <23 мОмId, Vgs = 21A, 10V | <13 мОмId, Vgs = 30A, 10V | <23 мОмId, Vgs = 22A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | OptiMOS™ | |||
Заряд затвору | QG | 110 нCVgs = 10V | 32 нCVgs = 10V | 69 нCVgs = 10V | 42 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | Standard | Logic Level Gate | Logic Level Gate |