На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | IPD30N03S2L-07 | IPD30N03S2L-10 | IPD30N03S2L-20 | IPD30N03S4L-09 | IPD30N03S4L-14 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | ||||
Виробник | Виробник | Infineon Technologies | ||||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | ||||
Потужність | P | <136 Вт | <100 Вт | <60 Вт | <42 Вт | <31 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 1.9 нФVds = 25V | 1.2 нФVds = 25V | 530 пФVds = 25V | 1.52 нФVds = 15V | 980 пФVds = 25V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <30 В | ||||
Постійний струм стоку | IDSS | <30 А | ||||
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | ||||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <6.7 мОмId, Vgs = 30A, 10V | <10 мОмId, Vgs = 30A, 10V | <20 мОмId, Vgs = 18A, 10V | <9 мОмId, Vgs = 30A, 10V | <13.6 мОмId, Vgs = 30A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | OptiMOS™ | ||||
Заряд затвору | QG | 68 нCVgs = 10V | 42 нCVgs = 10V | 19 нCVgs = 10V | 20 нCVgs = 10V | 14 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | ||||