IPD127N06LG

IPD127N06, IPD127N06LG

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрIPD127N06LG
Корпус мікросхеми
Корпус
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
Виробник
Виробник
Infineon Technologies
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Потужність
P
<136 Вт
Вхідна ємність польового транзистора
C11
2.3 нФVds = 30V
Постійна напруга між стоком та витоком
UDSS
<60 В
Постійний струм стоку
IDSS
<50 А
Тип каналу польового транзистора
Канал
N-ch
Опір каналу у відкритому стані
RDS-ON
<12.7 мОмId, Vgs = 50A, 10V
Серія MOSFET
Серія
OptiMOS™
Заряд затвору
QG
69 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Logic Level Gate