На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | IPD096N08N3G | |
|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 |
Виробник | Виробник | Infineon Technologies |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий |
Потужність | P | <100 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 2.41 нФVds = 40V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <80 В |
Постійний струм стоку | IDSS | <73 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <9.6 мОмId, Vgs = 46A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | OptiMOS™ |
Заряд затвору | QG | 35 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard |