На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | IPD04N03LAG | IPD04N03LBG | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | |
Виробник | Виробник | Infineon Technologies | |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |
Потужність | P | <115 Вт | |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 5.199 нФVds = 15V | 5.2 нФVds = 15V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <25 В | <30 В |
Постійний струм стоку | IDSS | <50 А | |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <3.8 мОмId, Vgs = 50A, 10V | <4.1 мОмId, Vgs = 50A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | OptiMOS™ | |
Заряд затвору | QG | 41 нCVgs = 5V | 40 нCVgs = 5V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | |