IPB80N06

IPB80N06, IPB80N06S2-05, IPB80N06S2-07, IPB80N06S2-08, IPB80N06S2-09, IPB80N06S2-H5, IPB80N06S2L-05, IPB80N06S2L-06, IPB80N06S2L-07, IPB80N06S2L-09, IPB80N06S2L-11, IPB80N06S2L-H5, IPB80N06S3-05, IPB80N06S3-07, IPB80N06S3L-05, IPB80N06S3L-06

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрIPB80N06S2-05IPB80N06S2-07IPB80N06S2-08IPB80N06S2-09IPB80N06S2-H5IPB80N06S2L-05IPB80N06S2L-06IPB80N06S2L-07IPB80N06S2L-09IPB80N06S2L-11IPB80N06S2L-H5IPB80N06S3-05IPB80N06S3-07IPB80N06S3L-05IPB80N06S3L-06
Корпус мікросхеми
Корпус
D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)
Виробник
Виробник
Infineon Technologies
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Потужність
P
<300 Вт<250 Вт<215 Вт<190 Вт<300 Вт<300 Вт<250 Вт<210 Вт<190 Вт<158 Вт<300 Вт<165 Вт<135 Вт<165 Вт<136 Вт
Вхідна ємність польового транзистора
C11
5.11 нФVds = 25V3.4 нФVds = 25V2.86 нФVds = 25V2.36 нФVds = 25V4.4 нФVds = 25V5.7 нФVds = 25V3.8 нФVds = 25V3.16 нФVds = 25V2.62 нФVds = 25V2.075 нФVds = 25V5 нФVds = 25V10.76 нФVds = 25V7.768 нФVds = 25V13.06 нФVds = 25V9.417 нФVds = 25V
Постійна напруга між стоком та витоком
UDSS
<55 В
Постійний струм стоку
IDSS
<80 А
Тип каналу польового транзистора
Канал
N-ch
Опір каналу у відкритому стані
RDS-ON
<4.8 мОмId, Vgs = 80A, 10V<6.3 мОмId, Vgs = 68A, 10V<7.7 мОмId, Vgs = 58A, 10V<8.8 мОмId, Vgs = 50A, 10V<5.2 мОмId, Vgs = 80A, 10V<4.5 мОмId, Vgs = 80A, 10V<6 мОмId, Vgs = 69A, 10V<6.7 мОмId, Vgs = 60A, 10V<8.2 мОмId, Vgs = 52A, 10V<10.7 мОмId, Vgs = 60A, 10V<4.7 мОмId, Vgs = 80A, 10V<5.1 мОмId, Vgs = 63A, 10V<6.5 мОмId, Vgs = 51A, 10V<4.5 мОмId, Vgs = 69A, 10V<5.6 мОмId, Vgs = 56A, 10V
Серія MOSFET
Серія
OptiMOS™
Заряд затвору
QG
170 нCVgs = 10V110 нCVgs = 10V96 нCVgs = 10V80 нCVgs = 10V155 нCVgs = 10V230 нCVgs = 10V150 нCVgs = 10V130 нCVgs = 10V105 нCVgs = 10V80 нCVgs = 10V190 нCVgs = 10V240 нCVgs = 10V170 нCVgs = 10V273 нCVgs = 10V196 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
StandardStandardStandardStandardStandardLogic Level GateLogic Level GateLogic Level GateLogic Level GateLogic Level GateLogic Level GateStandardStandardLogic Level GateLogic Level Gate