На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | IPB80N04S2-04 | IPB80N04S2-H4 | IPB80N04S2L-03 | IPB80N04S3-03 | IPB80N04S3-04 | IPB80N04S3-06 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | |||||
Виробник | Виробник | Infineon Technologies | |||||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |||||
Потужність | P | <300 Вт | <300 Вт | <300 Вт | <188 Вт | <136 Вт | <100 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 5.3 нФVds = 25V | 4.4 нФVds = 25V | 6 нФVds = 25V | 7.3 нФVds = 25V | 5.2 нФVds = 25V | 3.25 нФVds = 25V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <40 В | |||||
Постійний струм стоку | IDSS | <80 А | |||||
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |||||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <3.4 мОмId, Vgs = 80A, 10V | <3.7 мОмId, Vgs = 80A, 10V | <3.1 мОмId, Vgs = 80A, 10V | <3.2 мОмId, Vgs = 80A, 10V | <3.8 мОмId, Vgs = 80A, 10V | <5.4 мОмId, Vgs = 80A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | OptiMOS™ | |||||
Заряд затвору | QG | 170 нCVgs = 10V | 148 нCVgs = 10V | 213 нCVgs = 10V | 110 нCVgs = 10V | 80 нCVgs = 10V | 47 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | Standard | Logic Level Gate | Standard | Standard | Standard |