На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | IPB77N06S2-12 | IPB77N06S3-09 | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | |
Виробник | Виробник | Infineon Technologies | |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |
Потужність | P | <158 Вт | <107 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 1.77 нФVds = 25V | 5.335 нФVds = 25V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <55 В | |
Постійний струм стоку | IDSS | <77 А | |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <11.7 мОмId, Vgs = 38A, 10V | <8.8 мОмId, Vgs = 39A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | OptiMOS™ | |
Заряд затвору | QG | 60 нCVgs = 10V | 103 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | |