На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | IPB100N06S2-05 | IPB100N06S2L-05 | IPB100N06S3-03 | IPB100N06S3-04 | IPB100N06S3L-03 | IPB100N06S3L-04 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | |||||
Виробник | Виробник | Infineon Technologies | |||||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |||||
Потужність | P | <300 Вт | <300 Вт | <300 Вт | <214 Вт | <300 Вт | <214 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 5.11 нФVds = 25V | 5.66 нФVds = 25V | 21.62 нФVds = 25V | 14.23 нФVds = 25V | 26.24 нФVds = 25V | 17.27 нФVds = 25V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <55 В | |||||
Постійний струм стоку | IDSS | <100 А | |||||
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |||||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <4.7 мОмId, Vgs = 80A, 10V | <4.4 мОмId, Vgs = 80A, 10V | <3 мОмId, Vgs = 80A, 10V | <4.1 мОмId, Vgs = 80A, 10V | <2.7 мОмId, Vgs = 80A, 10V | <3.5 мОмId, Vgs = 80A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | OptiMOS™ | |||||
Заряд затвору | QG | 170 нCVgs = 10V | 230 нCVgs = 10V | 480 нCVgs = 10V | 314 нCVgs = 10V | 550 нCVgs = 10V | 362 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | Logic Level Gate | Standard | Standard | Logic Level Gate | Logic Level Gate |