На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | IPB100N04S2-04 | IPB100N04S2L-03 | IPB100N04S3-03 | |
|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | ||
Виробник | Виробник | Infineon Technologies | ||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | ||
Потужність | P | <300 Вт | <300 Вт | <214 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 5.3 нФVds = 25V | 6 нФVds = 25V | 9.6 нФVds = 25V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <40 В | ||
Постійний струм стоку | IDSS | <100 А | ||
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | ||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <3.3 мОмId, Vgs = 80A, 10V | <3 мОмId, Vgs = 80A, 10V | <2.5 мОмId, Vgs = 80A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | OptiMOS™ | ||
Заряд затвору | QG | 172 нCVgs = 10V | 230 нCVgs = 10V | 145 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | Logic Level Gate | Standard |