На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | IPB09N03LA | IPB09N03LAG | IPB09N03LAT | |
|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | ||
Виробник | Виробник | Infineon Technologies | ||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | ||
Потужність | P | <63 Вт | ||
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 1.642 нФVds = 15V | ||
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <25 В | ||
Постійний струм стоку | IDSS | <50 А | ||
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | ||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <8.9 мОмId, Vgs = 30A, 10V | ||
Серія MOSFET | Серія | OptiMOS™ | ||
Заряд затвору | QG | 13 нCVgs = 5V | ||
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | ||