IPB075N04LG

IPB075N04, IPB075N04LG

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрIPB075N04LG
Корпус мікросхеми
Корпус
D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)
Виробник
Виробник
Infineon Technologies
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Потужність
P
<56 Вт
Вхідна ємність польового транзистора
C11
2.8 нФVds = 25V
Постійна напруга між стоком та витоком
UDSS
<40 В
Постійний струм стоку
IDSS
<50 А
Тип каналу польового транзистора
Канал
N-ch
Опір каналу у відкритому стані
RDS-ON
<7.5 мОмId, Vgs = 50A, 10V
Серія MOSFET
Серія
OptiMOS™
Заряд затвору
QG
36 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Logic Level Gate