На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | IPB04N03LA | IPB04N03LAG | IPB04N03LAT | IPB04N03LB | IPB04N03LBG | |
|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | ||||
Виробник | Виробник | Infineon Technologies | ||||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | ||||
Потужність | P | <107 Вт | ||||
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 3.877 нФVds = 15V | 3.877 нФVds = 15V | 3.877 нФVds = 15V | 5.203 нФVds = 15V | 5.203 нФVds = 15V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <25 В | <25 В | <25 В | <30 В | <30 В |
Постійний струм стоку | IDSS | <80 А | ||||
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | ||||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <3.9 мОмId, Vgs = 55A, 10V | <3.9 мОмId, Vgs = 55A, 10V | <3.9 мОмId, Vgs = 55A, 10V | <3.5 мОмId, Vgs = 55A, 10V | <3.5 мОмId, Vgs = 55A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | OptiMOS™ | ||||
Заряд затвору | QG | 32 нCVgs = 5V | 32 нCVgs = 5V | 32 нCVgs = 5V | 40 нCVgs = 5V | 40 нCVgs = 5V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | ||||