На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | IPB03N03LA | IPB03N03LAG | IPB03N03LB | IPB03N03LBG | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | |||
Виробник | Виробник | Infineon Technologies | |||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |||
Потужність | P | <150 Вт | |||
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 7.027 нФVds = 15V | 7.027 нФVds = 15V | 7.624 нФVds = 15V | 7.624 нФVds = 15V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <25 В | <25 В | <30 В | <30 В |
Постійний струм стоку | IDSS | <80 А | |||
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <2.7 мОмId, Vgs = 55A, 10V | <2.7 мОмId, Vgs = 55A, 10V | <2.8 мОмId, Vgs = 55A, 10V | <2.8 мОмId, Vgs = 55A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | OptiMOS™ | |||
Заряд затвору | QG | 57 нCVgs = 5V | 57 нCVgs = 5V | 59 нCVgs = 5V | 59 нCVgs = 5V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | |||