На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | IPB034N06L3G | IPB034N06N3G | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | D²Pak, TO-263 (7 leads + tab) |
Виробник | Виробник | Infineon Technologies | |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |
Потужність | P | <167 Вт | |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 13 нФVds = 30V | 11 нФVds = 30V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <60 В | |
Постійний струм стоку | IDSS | <90 А | <100 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <3.4 мОмId, Vgs = 90A, 10V | <3.4 мОмId, Vgs = 100A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | OptiMOS™ | |
Заряд затвору | QG | 79 нCVgs = 4.5V | 130 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | Standard |