На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | IPA90R1K0C3 | IPA90R1K2C3 | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | TO-220FP | |
Виробник | Виробник | Infineon Technologies | |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | |
Потужність | P | <32 Вт | <31 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 850 пФVds = 100V | 710 пФVds = 100V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <900 В | |
Постійний струм стоку | IDSS | <5.7 А | <5.1 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <1 ОмId, Vgs = 3.3A, 10V | <1.2 ОмId, Vgs = 2.8A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | CoolMOS™ | |
Заряд затвору | QG | 34 нCVgs = 10V | 28 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | |