IPA60R385

IPA60R385, IPA60R385CP

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрIPA60R385CP
Корпус мікросхеми
Корпус
TO-220
Виробник
Виробник
Infineon Technologies
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Крізь отвір
Потужність
P
<31 Вт
Вхідна ємність польового транзистора
C11
790 пФVds = 100V
Постійна напруга між стоком та витоком
UDSS
<650 В
Постійний струм стоку
IDSS
<9 А
Тип каналу польового транзистора
Канал
N-ch
Опір каналу у відкритому стані
RDS-ON
<385 мОмId, Vgs = 5.2A, 10V
Серія MOSFET
Серія
CoolMOS™
Заряд затвору
QG
22 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Standard