IPA50R399

IPA50R399, IPA50R399CP

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрIPA50R399CP
Корпус мікросхеми
Корпус
TO-220FP
Виробник
Виробник
Infineon Technologies
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Крізь отвір
Потужність
P
<83 Вт
Вхідна ємність польового транзистора
C11
890 пФVds = 100V
Постійна напруга між стоком та витоком
UDSS
<550 В
Постійний струм стоку
IDSS
<9 А
Тип каналу польового транзистора
Канал
N-ch
Опір каналу у відкритому стані
RDS-ON
<399 мОмId, Vgs = 4.9A, 10V
Серія MOSFET
Серія
CoolMOS™
Заряд затвору
QG
23 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Standard