На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | HUFA75639G3 | HUFA75639P3 | HUFA75639S3S | HUFA75639S3ST | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | TO-247-3 | TO-220-3 (Straight Leads) | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) |
Виробник | Виробник | Fairchild Semiconductor | |||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | Крізь отвір | Поверхневий | Поверхневий |
Потужність | P | <200 Вт | |||
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 2 нФVds = 25V | |||
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <100 В | |||
Постійний струм стоку | IDSS | <56 А | |||
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <25 мОмId, Vgs = 56A, 10V | |||
Серія MOSFET | Серія | UltraFET™ | |||
Заряд затвору | QG | 130 нCVgs = 20V | |||
FET Feature | FET Feature | Standard | |||