HUFA75545

HUFA75545, HUFA75545P3, HUFA75545S3S

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрHUFA75545P3HUFA75545S3S
Корпус мікросхеми
Корпус
TO-220-3 (Straight Leads)D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)
Виробник
Виробник
Fairchild Semiconductor
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Крізь отвірПоверхневий
Потужність
P
<270 Вт
Вхідна ємність польового транзистора
C11
3.75 нФVds = 25V
Постійна напруга між стоком та витоком
UDSS
<80 В
Постійний струм стоку
IDSS
<75 А
Тип каналу польового транзистора
Канал
N-ch
Опір каналу у відкритому стані
RDS-ON
<10 мОмId, Vgs = 75A, 10V
Серія MOSFET
Серія
UltraFET™
Заряд затвору
QG
235 нCVgs = 20V
FET Feature
FET Feature
Logic Level Gate