HUFA75429

HUFA75429, HUFA75429D3ST

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрHUFA75429D3ST
Корпус мікросхеми
Корпус
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
Виробник
Виробник
Fairchild Semiconductor
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Потужність
P
<125 Вт
Вхідна ємність польового транзистора
C11
1.09 нФVds = 25V
Постійна напруга між стоком та витоком
UDSS
<60 В
Постійний струм стоку
IDSS
<20 А
Тип каналу польового транзистора
Канал
N-ch
Опір каналу у відкритому стані
RDS-ON
<25 мОмId, Vgs = 20A, 10V
Серія MOSFET
Серія
UltraFET™
Заряд затвору
QG
85 нCVgs = 20V
FET Feature
FET Feature
Logic Level Gate