HUFA75339G3

HUFA75339, HUFA75339G3, HUFA75339P3, HUFA75339S3S, HUFA75339S3ST

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрHUFA75339G3HUFA75339P3HUFA75339S3SHUFA75339S3ST
Корпус мікросхеми
Корпус
TO-247-3TO-220-3 (Straight Leads)D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)
Виробник
Виробник
Fairchild Semiconductor
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Крізь отвірКрізь отвірПоверхневийПоверхневий
Потужність
P
<200 Вт
Вхідна ємність польового транзистора
C11
2 нФVds = 25V
Постійна напруга між стоком та витоком
UDSS
<55 В
Постійний струм стоку
IDSS
<75 А
Тип каналу польового транзистора
Канал
N-ch
Опір каналу у відкритому стані
RDS-ON
<12 мОмId, Vgs = 75A, 10V
Серія MOSFET
Серія
UltraFET™
Заряд затвору
QG
130 нCVgs = 20V
FET Feature
FET Feature
Standard