На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | HUFA75332G3 | HUFA75332S3S | HUFA75332S3ST | |
|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | TO-247-3 | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) |
Виробник | Виробник | Fairchild Semiconductor | ||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | Поверхневий | Поверхневий |
Потужність | P | <145 Вт | ||
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 1.3 нФVds = 25V | ||
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <55 В | ||
Постійний струм стоку | IDSS | <60 А | ||
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | ||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <19 мОмId, Vgs = 60A, 10V | ||
Серія MOSFET | Серія | UltraFET™ | ||
Заряд затвору | QG | 85 нCVgs = 20V | ||
FET Feature | FET Feature | Standard | ||