На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | HUF76419D3 | HUF76419D3ST | HUF76419P3 | HUF76419S3S | HUF76419S3ST | |
|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab) | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | TO-220-3 (Straight Leads) | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) |
Виробник | Виробник | Fairchild Semiconductor | ||||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | Поверхневий | Крізь отвір | Поверхневий | Поверхневий |
Потужність | P | <75 Вт | ||||
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 900 пФVds = 25V | ||||
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <60 В | ||||
Постійний струм стоку | IDSS | <20 А | <20 А | <29 А | <29 А | <29 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | ||||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <37 мОмId, Vgs = 20A, 10V | <37 мОмId, Vgs = 20A, 10V | <35 мОмId, Vgs = 29A, 10V | <35 мОмId, Vgs = 29A, 10V | <35 мОмId, Vgs = 29A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | UltraFET™ | ||||
Заряд затвору | QG | 27.5 нCVgs = 10V | 27.5 нCVgs = 10V | 28 нCVgs = 10V | 28 нCVgs = 10V | 28 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | ||||