На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | HUF76407D3 | HUF76407D3S | HUF76407D3ST | HUF76407P3 | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab) | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | TO-220-3 (Straight Leads) |
Виробник | Виробник | Fairchild Semiconductor | |||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | Поверхневий | Поверхневий | Крізь отвір |
Потужність | P | <38 Вт | |||
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 350 пФVds = 25V | |||
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <60 В | |||
Постійний струм стоку | IDSS | <12 А | <12 А | <12 А | <13 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <92 мОмId, Vgs = 13A, 10V | |||
Серія MOSFET | Серія | UltraFET™ | |||
Заряд затвору | QG | 11.3 нCVgs = 10V | |||
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | |||