HUF75925

HUF75925, HUF75925D3ST

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрHUF75925D3ST
Корпус мікросхеми
Корпус
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
Виробник
Виробник
Fairchild Semiconductor
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Потужність
P
<100 Вт
Вхідна ємність польового транзистора
C11
1.03 нФVds = 25V
Постійна напруга між стоком та витоком
UDSS
<200 В
Постійний струм стоку
IDSS
<11 А
Тип каналу польового транзистора
Канал
N-ch
Опір каналу у відкритому стані
RDS-ON
<275 мОмId, Vgs = 11A, 10V
Серія MOSFET
Серія
UltraFET™
Заряд затвору
QG
78 нCVgs = 20V
FET Feature
FET Feature
Logic Level Gate