На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | HUF75829D3 | HUF75829D3S | HUF75829D3ST | |
|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab) | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 |
Виробник | Виробник | Fairchild Semiconductor | ||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | Поверхневий | Поверхневий |
Потужність | P | <110 Вт | ||
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 1.08 нФVds = 25V | ||
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <150 В | ||
Постійний струм стоку | IDSS | <18 А | ||
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | ||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <110 мОмId, Vgs = 18A, 10V | ||
Серія MOSFET | Серія | UltraFET™ | ||
Заряд затвору | QG | 70 нCVgs = 20V | ||
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | ||