На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | HUF75637P3 | HUF75637S3_NR4895 | HUF75637S3S | HUF75637S3ST | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | TO-220-3 (Straight Leads) | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) |
Виробник | Виробник | Fairchild Semiconductor | |||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | Поверхневий | Поверхневий | Поверхневий |
Потужність | P | <155 Вт | |||
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 1.7 нФVds = 25V | |||
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <100 В | |||
Постійний струм стоку | IDSS | <44 А | |||
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <30 мОмId, Vgs = 44A, 10V | |||
Серія MOSFET | Серія | UltraFET™ | |||
Заряд затвору | QG | 108 нCVgs = 20V | |||
FET Feature | FET Feature | Standard | |||