На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | HUF75631P3 | HUF75631S3S | HUF75631S3ST | HUF75631SK8T | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | TO-220-3 (Straight Leads) | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | 8-SOIC (3.9mm Width) |
Виробник | Виробник | Fairchild Semiconductor | |||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | Поверхневий | Поверхневий | Поверхневий |
Потужність | P | <120 Вт | <120 Вт | <120 Вт | <2.5 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 1.22 нФVds = 25V | 1.22 нФVds = 25V | 1.22 нФVds = 25V | 1.225 нФVds = 25V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <100 В | |||
Постійний струм стоку | IDSS | <33 А | <33 А | <33 А | <5.5 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <40 мОмId, Vgs = 33A, 10V | <40 мОмId, Vgs = 33A, 10V | <40 мОмId, Vgs = 33A, 10V | <39 мОмId, Vgs = 5.5A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | UltraFET™ | |||
Заряд затвору | QG | 79 нCVgs = 20V | |||
FET Feature | FET Feature | Standard | Standard | Standard | Logic Level Gate |